SIZ200DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

codice articolo del costruttore

SIZ200DT-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SIZ200DT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH DUAL 30V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

960015 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SIZ200DT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZ200DT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH DUAL 30V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

Potenza - Max : 4.3W (Ta), 33W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZ20 , SIZ200D

Documenti per SIZ200DT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZ200DT-T1-GE3.pdf

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