EPC2022 - GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE

codice articolo del costruttore

EPC2022

Numero parte interna

AX-EPC2022

fabbricante

EPC

Breve descrizione

GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

97940 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.8644~~

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Specifiche per EPC2022

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EPC2022

fabbricante : EPC

Descrizione : GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 12mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : +6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Pacchetto / caso : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EP , EPC

Documenti per EPC2022

Schede tecniche : EPC2022.pdf

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