2SK3820-DL-1E - MOSFET N-CH 100V 26A

codice articolo del costruttore

2SK3820-DL-1E

Numero parte interna

AX-2SK3820-DL-1E

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 26A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

20368 Pieces

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Specifiche per 2SK3820-DL-1E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SK3820-DL-1E

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 26A

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.65W (Ta), 50W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263-2

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2SK3 , 2SK382

Documenti per 2SK3820-DL-1E

Schede tecniche : 2SK3820-DL-1E.pdf

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