SI4936CDY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
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MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI4936CDY-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI4936CDY-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 15V
Potenza - Max : 2.3W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI4936CDY-T1-E3
Schede tecniche : SI4936CDY-T1-E3.pdf
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