MJD112G - TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-MJD112G
fabbricante
Breve descrizione
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
697915 Pieces
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Specifiche per MJD112G
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : MJD112G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 3V @ 40mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max) : 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max : 1.75W
Frequenza - Transizione : 25MHz
temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per MJD112G
Schede tecniche : MJD112G.pdf
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