STH80N10F7-2 - MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-STH80N10F7-2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
319855 Pieces
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Specifiche per STH80N10F7-2
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : STH80N10F7-2
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 110W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : H2Pak-2
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per STH80N10F7-2
Schede tecniche : STH80N10F7-2.pdf
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