TSM018NA03CR RLG - MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

codice articolo del costruttore

TSM018NA03CR RLG

Numero parte interna

AX-TSM018NA03CR RLG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

780565 Pieces

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Specifiche per TSM018NA03CR RLG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM018NA03CR RLG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 185A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3479pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 104W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDFN (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM01 , TSM018NA

Documenti per TSM018NA03CR RLG

Schede tecniche : TSM018NA03CR RLG.pdf

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