RJL5012DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK

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Numero parte interna
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MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
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Specifiche per RJL5012DPE-00#J3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RJL5012DPE-00#J3
fabbricante : Renesas Electronics America
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27.8nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 4-LDPAK
Pacchetto / caso : SC-83
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : RJL50 , RJL5012D

Documenti per RJL5012DPE-00#J3

Schede tecniche : RJL5012DPE-00#J3.pdf

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