SIHA12N60E-E3 - MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SIHA12N60E-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIHA12N60E-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 937pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 33W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220 Full Pack
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SIHA , SIHA12

Documenti per SIHA12N60E-E3

Schede tecniche : SIHA12N60E-E3.pdf

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