SPP10N10 - MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220

codice articolo del costruttore

SPP10N10

Numero parte interna

AX-SPP10N10

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9202 Pieces

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Specifiche per SPP10N10

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SPP10N10

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 21µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 426pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3-1

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SP , SPP1

Documenti per SPP10N10

Schede tecniche : SPP10N10.pdf

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