IRF7701GTRPBF - MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

codice articolo del costruttore

IRF7701GTRPBF

Numero parte interna

AX-IRF7701GTRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6008 Pieces

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Specifiche per IRF7701GTRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF7701GTRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5050pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSSOP

Pacchetto / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF7 , IRF770

Documenti per IRF7701GTRPBF

Schede tecniche : IRF7701GTRPBF.pdf

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