IPA50R650CE - MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

codice articolo del costruttore

IPA50R650CE

Numero parte interna

AX-IPA50R650CE

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

16536 Pieces

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Specifiche per IPA50R650CE

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPA50R650CE

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

Serie : CoolMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.1A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 342pF @ 100V

Caratteristica FET : Super Junction

Dissipazione di potenza (max) : 27.2W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-FP

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPA , IPA50

Documenti per IPA50R650CE

Schede tecniche : IPA50R650CE.pdf

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