SI5902BDC-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI5902BDC-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI5902BDC-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
Potenza - Max : 3.12W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore : 1206-8 ChipFET™
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI5902BDC-T1-GE3
Schede tecniche : SI5902BDC-T1-GE3.pdf
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