IDB30E60ATMA1 - DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263

codice articolo del costruttore

IDB30E60ATMA1

Numero parte interna

AX-IDB30E60ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

340385 Pieces

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Specifiche per IDB30E60ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IDB30E60ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 52.3A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2V @ 30A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 126ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-3-2

Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IDB3 , IDB30E

Documenti per IDB30E60ATMA1

Schede tecniche : IDB30E60ATMA1.pdf

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