ISL9R18120S3ST - DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
296300 Pieces
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Specifiche per ISL9R18120S3ST
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
ISL9R18120S3ST
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
Serie :
Stealth™
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Corrente: media rettificata (Io) :
18A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
3.3V @ 18A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 175°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per ISL9R18120S3ST
Schede tecniche :
ISL9R18120S3ST.pdf
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