IXTN21N100 - MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IXTN21N100

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXTN21N100
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Serie : MegaMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 520W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B
Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : IXTN21N100.pdf

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