1N8035-GA - DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

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fabbricante
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DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 1N8035-GA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 1N8035-GA
fabbricante : GeneSiC Semiconductor
Descrizione : DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Corrente: media rettificata (Io) : 14.6A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 15A
Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 650V
Capacità @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-276AA
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-276
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 250°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : 1N8035-GA.pdf

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