SI7236DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI7236DP-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI7236DP-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 10V
Potenza - Max : 46W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8 Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI723 , SI7236D

Documenti per SI7236DP-T1-GE3

Schede tecniche : SI7236DP-T1-GE3.pdf

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