IRF6714MTR1PBF - MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRF6714MTR1PBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF6714MTR1PBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 166A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3890pF @ 13V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ MX
Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric MX
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRF6714MTR1PBF
Schede tecniche : IRF6714MTR1PBF.pdf
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