STI11NM80 - MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

codice articolo del costruttore

STI11NM80

Numero parte interna

AX-STI11NM80

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

110095 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.54826~~

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Specifiche per STI11NM80

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STI11NM80

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Serie : MDmesh™

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 43.6nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1630pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 150W (Tc)

temperatura di esercizio : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK (TO-262)

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per STI11NM80

Schede tecniche : STI11NM80.pdf

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