BAS516,L3F - DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BAS516,L3F
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
16942285 Pieces
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Specifiche per BAS516,L3F
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BAS516,L3F
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Corrente: media rettificata (Io) :
250mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
3ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
200nA @ 80V
Capacità @ Vr, F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitore :
ESC
Temperatura operativa - Giunzione :
150°C (Max)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BAS516,L3F
Schede tecniche :
BAS516,L3F.pdf
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