STU1HN60K3 - MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

codice articolo del costruttore

STU1HN60K3

Numero parte interna

AX-STU1HN60K3

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

389665 Pieces

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Specifiche per STU1HN60K3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STU1HN60K3

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

Serie : SuperMESH3™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 27W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STU , STU1H

Documenti per STU1HN60K3

Schede tecniche : STU1HN60K3.pdf

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