SIUD406ED-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
4282115 Pieces
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Specifiche per SIUD406ED-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SIUD406ED-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.46 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
17pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.25W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® 0806
Pacchetto / caso :
PowerPAK® 0806
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SIUD406ED-T1-GE3
Schede tecniche :
SIUD406ED-T1-GE3.pdf
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