NVMSD6N303R2G - MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

codice articolo del costruttore

NVMSD6N303R2G

Numero parte interna

AX-NVMSD6N303R2G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

15256 Pieces

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Specifiche per NVMSD6N303R2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVMSD6N303R2G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 24V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVMS , NVMSD6

Documenti per NVMSD6N303R2G

Schede tecniche : NVMSD6N303R2G.pdf

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