BSM180D12P2C101 - MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

codice articolo del costruttore

BSM180D12P2C101

Numero parte interna

AX-BSM180D12P2C101

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9144 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BSM180D12P2C101

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSM180D12P2C101

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 204A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 10V

Potenza - Max : 1130W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : -

Pacchetto / caso : Module

Pacchetto dispositivo fornitore : Module

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSM18 , BSM180D

Documenti per BSM180D12P2C101

Schede tecniche : BSM180D12P2C101.pdf

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