NDS8852H - MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-NDS8852H
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26026 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per NDS8852H
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : NDS8852H
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 15V
Potenza - Max : 1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per NDS8852H
Schede tecniche : NDS8852H.pdf
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