IS42RM32800E-6BLI - IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
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fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
57215 Pieces
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Specifiche per IS42RM32800E-6BLI
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IS42RM32800E-6BLI
fabbricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrizione : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria : 256Mb (8M x 32)
Frequenza di clock : 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -
Tempo di accesso : 5.5ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 2.3V ~ 3V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 90-TFBGA (8x13)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IS42RM32800E-6BLI
Schede tecniche : IS42RM32800E-6BLI.pdf
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