RJK6012DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
17408 Pieces
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Specifiche per RJK6012DPE-00#J3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
RJK6012DPE-00#J3
fabbricante :
Renesas Electronics America
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
920 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
100W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-LDPAK
Pacchetto / caso :
SC-83
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per RJK6012DPE-00#J3
Schede tecniche :
RJK6012DPE-00#J3.pdf
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