ES3JB M4G - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

codice articolo del costruttore

ES3JB M4G

Numero parte interna

AX-ES3JB M4G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2487000 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.112812~~

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Specifiche per ES3JB M4G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ES3JB M4G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 3A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.45V @ 3A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 34pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AA (SMB)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ES3 , ES3J

Documenti per ES3JB M4G

Schede tecniche : ES3JB M4G.pdf

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