SPD11N10 - MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK

codice articolo del costruttore

SPD11N10

Numero parte interna

AX-SPD11N10

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

66100 Pieces

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Specifiche per SPD11N10

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SPD11N10

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 21µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18.3nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : P-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per SPD11N10

Schede tecniche : SPD11N10.pdf

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