FDB6021P - MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB

codice articolo del costruttore

FDB6021P

Numero parte interna

AX-FDB6021P

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

69250 Pieces

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Specifiche per FDB6021P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDB6021P

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 37W (Tc)

temperatura di esercizio : -65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDB6021P

Schede tecniche : FDB6021P.pdf

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