STD11N65M2 - MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-STD11N65M2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
421065 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per STD11N65M2
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
STD11N65M2
fabbricante :
STMicroelectronics
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Serie :
MDmesh™ II Plus
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
410pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
85W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DPAK
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per STD11N65M2
Schede tecniche :
STD11N65M2.pdf
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