NTMFS6B03NT1G - MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL

codice articolo del costruttore

NTMFS6B03NT1G

Numero parte interna

AX-NTMFS6B03NT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

121640 Pieces

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Specifiche per NTMFS6B03NT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NTMFS6B03NT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Ta), 132A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.4W (Ta), 165W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NTMF , NTMFS6

Documenti per NTMFS6B03NT1G

Schede tecniche : NTMFS6B03NT1G.pdf

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