VS-GT100TP120N - IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

codice articolo del costruttore

VS-GT100TP120N

Numero parte interna

AX-VS-GT100TP120N

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6208 Pieces

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Specifiche per VS-GT100TP120N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VS-GT100TP120N

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo IGBT : Trench

Configurazione : Half Bridge

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 180A

Potenza - Max : 652W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 100A

Corrente - Limite del collettore (max) : 5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 12.8nF @ 30V

Ingresso : Standard

Termistore NTC : No

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore : INT-A-PAK

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VS-G , VS-GT10

Documenti per VS-GT100TP120N

Schede tecniche : VS-GT100TP120N.pdf

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