IPI60R165CPAKSA1 - MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

codice articolo del costruttore

IPI60R165CPAKSA1

Numero parte interna

AX-IPI60R165CPAKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

174175 Pieces

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Specifiche per IPI60R165CPAKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPI60R165CPAKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

Serie : CoolMOS™

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 790µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 192W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPI60 , IPI60R16

Documenti per IPI60R165CPAKSA1

Schede tecniche : IPI60R165CPAKSA1.pdf

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