STL13N65M2 - MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT

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MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per STL13N65M2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : STL13N65M2
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Serie : MDmesh™ M2
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 475 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 52W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerFlat™ (5x6) HV
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : STL13N65M2.pdf

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