SI4943BDY-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
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MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
Stato RoHS
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Specifiche per SI4943BDY-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI4943BDY-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 1.1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI4943BDY-T1-GE3
Schede tecniche : SI4943BDY-T1-GE3.pdf
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