STB6N62K3 - MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK

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fabbricante
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MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per STB6N62K3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : STB6N62K3
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
Serie : SuperMESH3™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 620V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 875pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 90W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : STB6N62K3.pdf

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