IXTT60N20L2 - MOSFET N-CH 200V 60A TO268

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IXTT60N20L2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXTT60N20L2
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 60A TO268
Serie : Linear L2™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10500pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 540W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-268
Pacchetto / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : IXTT60N20L2.pdf

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