2SK2883(TE24L,Q) - MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM

codice articolo del costruttore
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MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
Stato RoHS
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Specifiche per 2SK2883(TE24L,Q)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 2SK2883(TE24L,Q)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 75W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220SM
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : 2SK2883(TE24L,Q).pdf

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