FQI2N80TU - MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQI2N80TU
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
70400 Pieces
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Specifiche per FQI2N80TU
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FQI2N80TU
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
Serie : QFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.13W (Ta), 85W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FQI2N80TU
Schede tecniche : FQI2N80TU.pdf
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