MMSF3P02HDR2G - MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

MMSF3P02HDR2G

Numero parte interna

AX-MMSF3P02HDR2G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

768705 Pieces

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Specifiche per MMSF3P02HDR2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MMSF3P02HDR2G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 16V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MMSF , MMSF3P

Documenti per MMSF3P02HDR2G

Schede tecniche : MMSF3P02HDR2G.pdf

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