BSG0810NDIATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
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MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per BSG0810NDIATMA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSG0810NDIATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 12V
Potenza - Max : 2.5W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TISON-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per BSG0810NDIATMA1
Schede tecniche : BSG0810NDIATMA1.pdf
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