VS-GB100TP120N - IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
7048 Pieces
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Specifiche per VS-GB100TP120N
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
VS-GB100TP120N
fabbricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione :
IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configurazione :
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
200A
Potenza - Max :
650W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) :
5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce :
7.43nF @ 25V
Ingresso :
Standard
Termistore NTC :
No
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
INT-A-Pak
Pacchetto dispositivo fornitore :
INT-A-PAK
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per VS-GB100TP120N
Schede tecniche :
VS-GB100TP120N.pdf
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