JAN1N6622US - DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

codice articolo del costruttore

JAN1N6622US

Numero parte interna

AX-JAN1N6622US

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

44478 Pieces

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Specifiche per JAN1N6622US

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : JAN1N6622US

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Serie : Military, MIL-PRF-19500/585

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 660V

Corrente: media rettificata (Io) : 1.2A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.2A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 500nA @ 660V

Capacità @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore : D-5A

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per JAN1N6622US

Schede tecniche : JAN1N6622US.pdf

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