SI8429DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

codice articolo del costruttore

SI8429DB-T1-E1

Numero parte interna

AX-SI8429DB-T1-E1

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1012130 Pieces

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Specifiche per SI8429DB-T1-E1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI8429DB-T1-E1

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 4V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-Microfoot

Pacchetto / caso : 4-XFBGA, CSPBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI84 , SI8429D

Documenti per SI8429DB-T1-E1

Schede tecniche : SI8429DB-T1-E1.pdf

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