1N5408GHB0G - DIODE GEN PURP 3A DO201AD

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 1N5408GHB0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 1N5408GHB0G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : -
Corrente: media rettificata (Io) : 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-201AD
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : 1N5 , 1N540

Documenti per 1N5408GHB0G

Schede tecniche : 1N5408GHB0G.pdf

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