IXTD3N60P-2J - MOSFET N-CH 600
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXTD3N60P-2J
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
22939 Pieces
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Specifiche per IXTD3N60P-2J
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXTD3N60P-2J
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH 600
Serie :
PolarHV™
Stato parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
411pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
70W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
Die
Pacchetto / caso :
Die
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXTD3N60P-2J
Schede tecniche :
IXTD3N60P-2J.pdf
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