IXDI602SIA - MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

codice articolo del costruttore

IXDI602SIA

Numero parte interna

AX-IXDI602SIA

fabbricante

IXYS Integrated Circuits Division

Breve descrizione

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

371365 Pieces

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Specifiche per IXDI602SIA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXDI602SIA

fabbricante : IXYS Integrated Circuits Division

Descrizione : MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Serie : -

Stato parte : Active

Configurazione guidata : Low-Side

Tipo di canale : Independent

Numero di driver : 2

Gate Type : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Fornitura : 4.5V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH : 0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) : 2A, 2A

Tipo di input : Inverting

Tensione lato alto - Max (Bootstrap) : -

Rise / Fall Time (Typ) : 7.5ns, 6.5ns

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXD , IXDI6

Documenti per IXDI602SIA

Schede tecniche : IXDI602SIA.pdf

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