IXDI602SIA - MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXDI602SIA
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
371365 Pieces
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Specifiche per IXDI602SIA
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXDI602SIA
fabbricante :
IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione :
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Serie :
-
Stato parte :
Active
Configurazione guidata :
Low-Side
Tipo di canale :
Independent
Numero di driver :
2
Gate Type :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura :
4.5V ~ 35V
Tensione logica - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) :
2A, 2A
Tipo di input :
Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) :
-
Rise / Fall Time (Typ) :
7.5ns, 6.5ns
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SOIC
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXDI602SIA
Schede tecniche :
IXDI602SIA.pdf
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