JANTXV1N5416US - DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
36102 Pieces
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Specifiche per JANTXV1N5416US
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : JANTXV1N5416US
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Corrente: media rettificata (Io) : 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore : D-5B
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per JANTXV1N5416US
Schede tecniche : JANTXV1N5416US.pdf
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